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東芝開發出了比SRAM省電的新一代半導體MRAM。MRAM具有即使切斷電源也能保持記錄的特性，由通過磁力來記憶信號的元件和放大微弱信號的電路構成。東芝通過使電路靠近元件來提高處理速度，實現了毫不遜色于SRAM的性能。
東芝表示，如果推向實用化將「有望使智慧手機的耗電量減少20%」。以電源待機時間為10小時的智慧手機為例，其待機時間將增加到12小時。
預計MRAM作為主力記憶體將替代一般的「動態隨機記憶體(DRAM)」。此次東芝還為MRAM替代SRAM開闢了道路。東芝計劃2015財年（截至16年3月）之前開發出嵌入新型MRAM的CPU，力爭實現商業化。
日立製作所面向伺服器等産品開發出了在利用SRAM的同時還能省電的技術。SRAM方面，雖然可實現省電和高速化的電路細微化技術取得了發展，但是達 到一定程度後很容易出現信號誤差，導致SRAM的性能出現下降。過去通過施加高電壓將信號誤差幾乎控制為零，不過該技術會影響省電效果。
日立轉變了一直以來的思考方式，容忍可忽略的誤差發生，開發出了可抑制SRMA驅動電源的設計方法。與系統控制有關的重要處理方面，通過軟體來維持驅動電壓，計算處理則根據事先設定的誤差率來下調電壓。
據稱採用該方法計算機也能正常工作。預計還可以用於圖像處理等。在模擬試驗中，容忍5%的誤差率的情況下，可將耗電量削減20%左右。
據稱這一誤差率在人觀看圖像時感覺不到圖像出現劣化的範圍內。日立計劃20年將該方法推向實用，這將有助於信息社會的基礎設施數據中心的節能化。
另一方面，由富士通和三菱電機等10家廠商組成的的超低電壓裝置技術研究聯盟開發出了面向構成MRAM的記憶元件的微細加工技術。具體來説，首先製作出直徑為35奈米（1奈米為10億分之1米）的圓形元件，之後使元件周圍氧化，將元件工作部分直徑縮小至20奈米。
儘管微細化對實現省電有效，但是加工起來十分困難。據稱相比一開始就將元件加工為直徑20奈米，新技術的精確度更高、成本也更低。加入研究聯盟的各廠商計劃為高性能MRAM的實用化做出貢獻。
